Jeg vil lige høre, om der i dette forum findes een (eller flere...), der kan hjælpe mig med viden om tail current i IGBT. Vi arbejder i området omkring 100Amp og ca 1.5kV.
Almindelige svar som "har du prøvet google" er ikke interessante. For det HAR jeg. Henvisning til evt andre, der ved noget, er osse interessant,
Du behøver ikke at pakke det ind. Ja APT er blevet købt af Semicron, og jeg har læst det meste af deres app notes, men er ikke blvet klogere på hvor store og hvor langsomme henfald, der er tale om. Og det er netop disse størrelser, jeg har brug for.
En MOSFET har IKKE en tail. Men en IGBT har, da det er et spørgsmål om at få minoritetsbærerne af base regionen. Det sker ved rekombination, eller ved at der er et felt, der "fjerner" dem.
Det er en 1.7kV 100Amp type fra IXYS IXGN100N170
Problemet for mig er at current tail ikke er beskrevet i databladet. Angiveligt fordi den er lille, og man kan se bort fra den i de fleste anvendelser. Men den er der alligevel. Jeg mangler primært forståelse og størrelser for det eksponentielle henfald, så jeg kan beregne hvornår strømændringen er lav nok til mit formål.
jeg har faktisk ikke h=F8rt udtrykket "tailcurrent" f=F8r nu. men hvis det er det med at f=E5 ladningen ud af basen ,s=E5 ville jeg mene det var en del af switchtabet.??? hvad jeg husker ,s=E5 s=F8rgede man for at undg=E5 m=E6tning i en bipolar = for at reducere baseladningen ,og reducere swithtab .eller man k=F8rer basen negativt for at reducere tiden med afladning af base kapaciteten..men det kan man jo ikke i en IGBT. er det helt forkert ? alex
Ja, det er en del af tabet ved turnoff, at collectorspændingen stiger til maxværdi umiddelbart efter turn-off, men at strømmen "fiser ud". Det giver et tab. Jeg er ligeglad med tabet, men er meget interesseret i restmagnetisering's henfald, da jeg skal bruge magnetfeltet til målinger. Derfro søger jeg efter viden om netop henfaldskonstanter og størrelser.
Ja, det er rigtigt at vi i de rene bipolære dage brugte snedige basestyrekredsløb for at sikre at transistoren netop var mættet, men heller ikke mere. quasi saturated var begrebet. Men i en IGBT har man ikke adgang til basen, så derfor er det ikke muligt at styre den.
Har du prøvet at henvende dig til IXYS? Jeg fik hurtigt og virkelig brugbart hjælp fra dem, da jeg engang havde problemer med en af deres ultra-high-voltage IGBT'er (som dog ikke havde noget med tail current at gøre).
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.