Коммутация напряжений

Hello, Dmitriy Tsitsilin! You wrote in conference fido7.su.hardw.schemes to All on Tue, 24 May 2005 19:29:47 +0400:

DT> Привет, All!

DT> Hа плате должны коммутироваться два независимых источника DT> напряжения 3,3В(5В) DT> (ток - 7А). Один - это локальный Step-Down конвертер, DT> расположенный на плате.

А какая проблема в том, что на выходе buck'а будет напряжение от другого источника?

DT> М.б. как-то по другому можно сделать коммутацию? Или, DT> возможно, есть Low-RdsOn транзисторы без встроенного диода?

Нет таких.

dima

Так переверни его (ну, или поставь n-канальный в нужную сторону), делов-то. То есть обычная схема "питательного ИЛИ" с двумя диодами, только диоды встроены в MOSFETы и шунтируются ими когда надо (а когда именно надо - решает схема управления).

Вал. Дав.

Tue May 24 2005 20:29, Dmitriy Tsitsilin wrote to All:

DT> Hа плате должны коммутироваться два независимых источника напряжения DT> 3,3В(5В) (ток - 7А). Один - это локальный Step-Down конвертер, DT> расположенный на плате. Второй - напряжение, подаваемое с внешнего DT> разъема. Вся начинака платы должна запитываться либо от одного, либо от DT> другого источника. Коммутация должна осуществляться чем-то твердотельным, DT> например, P-канальным мосфетом IRF7410. Проблема в том, что у этого DT> транзистора есть встроенный диод между стоком и истоком. Может возникнуть DT> ситуация, что схема будет запитываться с внешнего разъема, а напряжения DT> на выходе конвертера не будет, в этом случае 3,3в может пролезть на выход DT> конвертера через встроенный диод выключенного мосфета(тот, который на DT> коммутацию конвертера).

В чем проблема? Включи их так, чтобы диод проводил от источника к нагрузке (что само по себе не страшно, если только разброс напряжений источников не столь велик, что при работающих обоих пимтание будет поступать через встроенный диод мосфета не с того источника, который подключен управляющей логикой, в этом случае возможен перегрев мосфета из-за повышенного падения на диоде по сравнению с каналом). Тогда при закрытом по затвору мосфете на источник ничего поступать не будет.

DT> М.б. как-то по другому можно сделать коммутацию? Или, возможно, есть DT> Low-RdsOn транзисторы без встроенного диода?

Hе бывает. Hо можно включить два, соединив истоками, так что диоды окажутся включены встречно. Именно такая схема используется в мосфет-коммутаторах переменного напряжения.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Привет, Aleksei!

DT>> диод выключенного мосфета(тот, который на коммутацию конвертера). AP> В чем проблема? В нехватке опыта...

AP> Включи их так, чтобы диод проводил от источника к AP> нагрузке (что само по себе не страшно, если только разброс напряжений AP> источников не столь велик, что при работающих обоих пимтание будет AP> поступать через встроенный диод мосфета не с того источника, который AP> подключен управляющей логикой, в этом случае возможен перегрев мосфета AP> из-за повышенного падения на диоде по сравнению с каналом). Тогда при AP> закрытом по затвору мосфете на источник ничего поступать не будет. Спасибо, понятно.

DT>> М.б. как-то по другому можно сделать коммутацию? Или, возможно, DT>> есть Low-RdsOn транзисторы без встроенного диода?

AP> Hе бывает. AP> Hо можно включить два, соединив истоками, так что диоды AP> окажутся включены встречно. Такая мысль возникала, но такое решение не подходит - очень критичны требования к занимаемой площади. Даже один лишний корпус SO-8 будет трудно разместить на плате.

AP> Именно такая схема используется в AP> мосфет-коммутаторах переменного напряжения.

P.S. спасибо всем ответившим.

Пока! Dmitriy