Step-down -ciag dalszy

Witam,

Udało mi się w miarę ogarnąć moją przetwornicę z poprzedniego wątku, ale pojawiły się kolejne problemy.

Zakłócenia wynikające z przełączania MOSFETa. O ile z zakłóceniami wynikającymi z wyłączania się Mosfeta poradzę sobie dając odpowiedni gasik RC o tyle z tymi pochodzącymi od włączania się tranzystora nie bardzo wiem jak.

Mogę zmniejszyć prąd sterownika bramki i wydłużyć czas włączania , ale to chyba nie jest rozwiązanie odpowiednie bo zwiększy się Pd i Mosfet zejdzie.

Czy jest jakieś inne rozwiązanie poza metalowym pudłem ? Jakieś idee ?

Adam

Reply to
Adam Górski
Loading thread data ...

Przy tak dużych mocach i stosunkowo wysokich napięciach nie masz wyjścia

- odrobinę spowolnić i zapakować do pudła.

Reply to
RoMan Mandziejewicz

W dniu 2011-02-08 15:11, RoMan Mandziejewicz pisze:

Tego się właśnie obawiałem. Tu mam kolejne pytanie - jak powinien być dystans pomiędzy rdzeniem a innymi metalowymi częściami obudowy żeby nie było problemów ?

Adam

Reply to
Adam Górski

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d514d07$0$2505$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Jeszcze się upewnij, czy te zakłócenia przy włączaniu nie pochodzą przypadkiem od diody...

e.

Reply to
invalid unparseable

W dniu 2011-02-08 15:45, entroper pisze:

Tylko jak to sprawdzić ?

Adam

Reply to
Adam Górski

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d515e2f$0$2445$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

zaobserwuj, co płynie przez diodę

e.

Reply to
invalid unparseable

W dniu 2011-02-08 16:30, entroper pisze:

No fajnie tylko nie mam żadnej sondy prądowej. Ale zanotuje żeby sprawdzić jak bedzie okazja.

Diody to 3 x DSEP29-06A równolegle - powinny być chyba odpowiednie

Adam

Reply to
Adam Górski

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d5162f2$0$2452$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Ale pracujesz w CCM a te diody, jakkolwiek niezłe, reverse recovery będą wykazywać.

e.

Reply to
invalid unparseable

W dniu 2011-02-08 17:22, entroper pisze:

No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ? Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?

Adam

Reply to
Adam Górski

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d516f4f$0$2490$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy) albo current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził, czy to rzeczywiście to :)

e.

Reply to
invalid unparseable

A to już zależy od warunków pracy i normy, jaką ma spełniać. Trzeba szukać w normach :( Jeśli to nie ma być iskrobezpieczne (norma 60079), a warunki wilgotności i zapylenia są normalne, to pojedyncze milimetry załatwiają problem.

Reply to
RoMan Mandziejewicz

W dniu 2011-02-08 18:00, entroper pisze:

To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście czas RR robi problem ?

Adam

Reply to
Adam Górski

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d5179da$0$2454$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Noo, jak będziesz tym mosfetem sterował tak, żeby się idealnie przełączył (ocierając się o cross-conduction), to nieco poprawisz sytuację, ale jeśli dasz przewodzić choć przez chwilę mosfetowej diodzie, to nic się nie polepszy. A ta dioda w mosfecie jest raczej gorsza od DSEP :) Poza tym nadal nie upewniłeś się, że to dioda :)

e.

Reply to
invalid unparseable

W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka dioda a nie zbyt wolna.

Reply to
RoMan Mandziejewicz

  1. Dobrze by miec soft recovery, jak reszta ukladu zniesie.
  2. Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co chcesz jako free-wheeling diode.
  3. Odizolowac (elektrycznie) mosfeta od radiatora i sie cieszyc ze juz nie sieje (mozna jeszcze uziemic radiator, bo troche bedzie zbierac pojemnosciowo przez przekladke izolacyjna).

W zasadzie punkt 3 powinien byc na pierwszym miejscu.

Reply to
Jerry1111

Jako że nie mogę zmierzyć prądu diody - mogę jedynie doświadczalnie stwierdzić czy jest lepiej czy gorzej. Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ? Mam mosfeta w obudowie SOT227B - jest izolowany wewnetrznie od radiatora. Radiator jest uziemiony.

Adam

Reply to
Adam Górski

Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.

BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.

Reply to
Jaroslaw Berezowski

A nie wiem. Ale tu masz na 34A (a nawet 50A I_Fpeak):

formatting link

Reply to
Jerry1111

Chodzilo mi o cos takiego:

| +----+ | | __ | D1 \/ | | /\ D2 | -- +-+ | | | | | | |

--+ | | +-+ | | | +----+ | |

W ten sposob nie uzywasz diody zwrotnej mosfeta, tylko swoja diode D2. Po co napisalem 'free-wheeling', to nie mam pojecia - chyba juz za pozno bylo.

Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.

Reply to
Jerry1111

Dnia Wed, 09 Feb 2011 22:39:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

A ty o trasiu prostownika synchronicznego :) Myslalem, ze o kluczu przetwornicy i sie zastanawialem, co za uklad wymysliles.

No wlasnie z GaAs i GaN chgodzilo o redukcje kosztow. Technologia podlozy z tych dwoch materialow zostala niezle dopracowana przy okazji produkcji LEDow w odroznieniu od SiC.

Reply to
Jaroslaw Berezowski

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.