Proszę o pomoc w poznaniu zasady jak oblicza się pojemność wejsciową dla pojedyńczego wejścia n-wejsciowej bramki NAND i NOR. Chodzi mi o pojemności względne (w jednostkach wyrażonych szerokością bramki W). Dla inwertera sprawa jest prosta - pojemność jest sumą szrokości tranzystorów PMOS uW i NMOS W (gdzie u - wspolczynnik skalujący ze względy na różnicę w ruchliwości dziur i elektronów). Natomiast dla 2 wejsciowej bramki NAND poj. wynosi W+uW/2 a dla 2-we. NOR W+2uW.
Z góry dziękuję za pomoc.