Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego egzemplarza? Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max lub Id max ? Na podstawie schematu nie da sie ustalic co moze byc przyczyna. Mosfet pracuje jako klucz DC z praktycznie zerowa f.
Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np. początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie (zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.