Komórka pamięci SRAM

Taka komórka to dwa inwertery naprzeciw siebie. Taki inwerter ma dwa tranzystory, więc komórka to 4 tranzystory a jest 6. Natomiast cztery ma układ z rezystorami, ale rezystory jest trudno uzyskać duże rezystancje przy małych rozmiarach (czy mogły by być wykonywane z materiału o bardzo dużej rezystancji?) Czy te sześć tranzystorów jest na każdy bit, czy też jeśli mamy b bitów to potrzeba 4*n+2 tranzystorów czy też 6*n ?

Reply to
Ignacy
Loading thread data ...

Dnia Sun, 10 Jan 2016 15:48:39 +0100, Ignacy napisał(a):

Jesli nie wiecej. Trzeba to przeciez zapisywac i odczytywac.

Ale nie mamy roznych materialow - mamy jeden krzem do dyspozycji.

To akurat na kazdy bit.

J.

Reply to
J.F.

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.