Karty CF - ograniczona liczba cykli odczytu?

To urządzenie zrobiliście sami, czy jest to coś gotowego na np. WindowsCE albo WM2003/WM5/WM6?

Przy podwyższonej temperaturze pracy czas retencji spada dość szybko. Wiem, producenci deklarują temperatury pracu do +70°C i 100 lat retencji, ale rzadko jednocześnie :)

Marek

J.F. pisze:

CF to pamieci NAND zajrzyj do specyfikacji maja ograniczona ilosc zapisow, podobnie dyski SSD ktore roznia sie od CF kontrolerem.

J.F. pisze: > A urzadzenie na pewno nie probuje zapisac jakis danych ?

Na pewno nie - to nie jest FAT tylko rodzaj archiwum "tylko do odczytu" (zawartość karty przypomina raczej "dump" z CR-ROMa - Windows rozpoznaje jako pusty nośnik bez systemu plików). A błędy pojawiają się w środku zwykłych danych.

Myślałem że po prostu rozpłynął się ładunek w komórce - zepsuta karta czasami (zależnie od temperatury i humoru) dostarcza poprawne dane - pewnie gdyby ją ponownie zaprogramować mogłaby służyć kolejnych parę lat.

O tym nie pomyślałem - trzeba będzie dokładniej obejrzeć te padnięte bajty. Pozdrawiam GRG

Marek Lewandowski pisze:

Samoróbka - własny hardware, własny software, na 99,99% nic nie próbuje zapisywać na tą kartę. Nie zdziwiłbym się gdyby ta wersja oprogramowania nawet nie zawierała implementacji komendy "WRITE".

100lat? Nie wiedziałem że aż tyle - pytanie tylko czy w temperaturze pokojowej czy w lodówce... (może powinienem wydzielić w lodówce półkę na backupy? :) ) Pozdrawiam GRG

grg12 przemówił ludzkim głosem:

100 lat raczej nie spotkasz. Producenci NAND FLASHy najczęściej podają czas retencji danych do 10 lat (czasami 20) i to pod warunkiem, że kupujesz SLC.

to było w przenośni - w sensie, że na papierze trzyma wieki.

Marek

uzywam cf cyfrowce (ponad 2 lata) i kilku (zwykle najpodlejszej jakosci) jako 'ssd dla ubogich' w komputerach. nigdy nie mialem problemow, pomimo iz srednio przejmuje sie nawet trzymaniem sie cykli zapisu (swap itd.). najstarsza karta ma ~3 lata.

temperatura pracy jest u mnie jednak zdecydowanie pokojowa, do ~40C w jednym laptopku...

gdzies kiedys czytalem ze promieniowanie jonizujace (rentegen, gamma, beta) moze 'przprogramowywac' flash, ale w moim regionie 'tlo' jest 5x wyzsze niz norma i pomimo iz sporadycznie padaja pamieci DRAM, flashe w telewizorach a czasem i inna co delikatniejsza elektronika, CF nie padlo jeszcze nigdy.

moim skromnym zdaniem winna bedzie temperatura, karty CF potrafia sie w czasie pracy dosc solidnie rozgrzac , wiec 50C na zewnatrz moze oznaczac ponad 70C na 'aktywnym chipie'.

mi osobiscie raz udalo sie 'przegrzac' pendrive'a - byl wsadzony bezposrednio do plyty ktora byla dosc goraca sama z siebie. pojawilo sie troche bledow i przestraszylem sie ze cos zepsulem trwale. jako ze pendrive byl 'troche' goracy , podlaczylem go na krotkim kabelku i od tej pory problemy sie skonczyly i nie myslalem o tym wiecej (zadnych 'trwalych' bledow nie stwierdzilem, i wszystko dziala ok od ponad roku).

--

tak, te okolice.dokladnie to Luban Slaski - stog izerski widze z okna, a wode z kranu mam bardziej radoczynna niz woda w hali zdrojowej w Swieradowie ;)

--

Dzień dobry wszystkim

Właśnie się dowiedziałem co było przyczyną uszkodzeń - okazało się że nowoczesne karty CF rzeczywiście mają ograniczoną liczbę cykli odczytu. Zjawisko określa się jako "read disturbances" - objawia się uszkodzeniem danych w komórkach położonych w pobliżu odczytywanej. Karta jako taka nie ulega uszkodzeniu - wystarczy ponownie zapisać dane. Czyli jeśli mamy urządzenie które (np. z przyczyn licencyjnych) nie może zapisywać na kartę a jednocześnie intensywnie z niej czyta (np. regularnie liczy CRC... dla bezpieczeństwa :) ) - należy się spodziewać że przestanie działać. Pozdrawiam GRG

Ale dlaczego w położonych w pobliżu a nie w tej odczytywanej? Skoro odczytywana nie jest niszczona to czytać wszystkie.

Mirek.

a mozna prosic zrodlo tej informacji i ew. jakich producentow (i jakich pojemnosci) karty sa na to narazone?

--

Piotr "Curious" Slawinski pisze:

Jutro wypytam kolegę z działu "hardware" - na razie znalazłem krótki opis zjawiska:

cytat: During the read-out operation, the read voltage Vread is applied to control gates of the deselected cell transistors and the ground voltage is applied to a substrate (e.g., a bulk) of the deselected cell transistors. The drains of the deselected cell transistors are supplied with a predetermined voltage. The application of the read voltage Vread and the ground voltage causes a bias condition during the read-out operation.

As illustrated in FIG. 3, the bias condition can cause electrons to be injected into a floating gate of the deselected cell transistor from the substrate during the read-out operation. The electrons can result in an unintentional programming (or soft programming) of a deselected cell transistor in on-state (or erased state), which is referred to as a ‘read disturbance’.

A read disturbance may cause threshold voltages of the on-state (or erased state) memory cells to gradually increase. As noted by the shaded area shown in FIG. 4, threshold voltages of the on-state memory cells increase in proportion to number of read-out operations that are performed. The voltage increases may cause some of the on-state memory cells to be erroneously detected as off-cells, resulting in read fails.

As the number of read-out operations performed increases, the probability of a read fail increases as shown in FIG. 5. If the number of bit errors exceeds a permissible range, a block corresponding thereto is treated as a bad block. The bad block containing the erroneous data is replaced by a reserved memory block, which is stored in the flash memory device. Here, the bad block is caused by a read disturbance, and not worn out by repetition of the programming or reading operation. Therefore, the bad block may be reused through erasure and replacement.

Tekst pochodzi o opisu patentu na przeciwdziałanie zjawisku - więc możliwe że większość kart na rynku nie robi już takich numerów

hum, ciekawostka. nie do konca rozumiem jak napiecie odczytu moze spowodowac 'wstrzykniecie' elektronow do bramek nie-wybranego banku, zwlaszcza ze w w/w linku brakuje rysunkow ...

bylbym wdzieczny za bardziej szczegolowe informacje, zwlaszcza jakie karty sa na to narazone - no i czy problem wystepuje tez w mikrokontrolerach (i jakich?)

--

Piotr "Curious" Slawinski pisze:

Sorry - zapomniałem. Posypały sie karty produkcji numonyx i ST - wielkość 4GB, MLC. Niestety nie udało mi się znaleźć oficjalnych danych na temat rozmiaru problemu - w wszystkich dataschetach stoi "nieograniczona liczba cykli odczytu". Dokładnych pomiarów nie robiliśmy

- ale karta potraktowana programem czytającym w kółko jeden sektor po kilku dniach wykazywała błędy (uszkodzony był sektor którego nie odczytywano więc program nie wiedział kiedy skończyć). Szacunkowo - kilka/kilkanaście milionów cykli. Producent twierdzi że nowe serie kart będą miały inny kontroler który zabezpiecza przed tym rodzajem błędów. Pozdrawiam GRG

block on 1-bit error corrects errors due to Read Disturb

The Block Refresh on 1-bit errors feature takes into account the fact that many transient errors occur due to Read Disturb ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ (due to NAND architecture, all cells in the same word line are affected when reading a particular cell) or, in some cases, voltage degradation over time.

The concept is that if a block reaches a point where transient errors begin to occur, erasing the block (setting all bits to "1") and rewriting it may solve the problem. Specifically, Block Refresh rewrites the block data in a different block that is not experiencing errors, and then erases (reclaim) the erroneous block for usage in a later operation.