Witam, sorry że tak rzadko bywam i wpadam do Was tylko po radę, zamiast uczestniczyć w życiu grupy :-/
Mam nadzieję że pomożecie: skleciłem sobie przetworniczkę na SG3525: push-pull z wyprowadzonym środkiem. Przetwornica miło mnie zaskoczyła bo parametry wyszły całkiem blisko wyników obliczeń. Gdy jednak obadałem oscem co się dzieje na rezystorze wpiętym w źródła kluczujących mosfetów, okazało sie że pracuje ona trochę nierówno - w jednej połówce mam prąd szczytowy 0,92A (obliczony 0,9A :-) ), ale w drugiej jednak o 50mA mniej :-( Zaznaczam że dołożyłem wszelkich starań aby nawinąć trafo symetrycznie - nawijałem obie połówki jednocześnie (tzn. nawijałem uzwojenie tylko raz, dwoma drutami złożonymi jeden przy drugim i odpowiednio połączyłem końcówki).
Czy taka różnica może doprowadzić w kosekwencji do coraz większego namagnesowania rdzenia i tym samym wjazdu jedną połówką w nasycenie ? Co może być jej przyczyną ? Rozrzut parametrów tranzystorów ? Jak ją zlikwidować ? Kupić dwa nowe MOSFETy i wstawić ? Spróbować rozmagnesować rdzeń ? BTW rdzeń nie jest "wysilony" bo obliczeniowa indukcja w szczycie to
44mT, a materiał ma nasycenie 360mT, czyli wykorzystałem mniej niż połowę używalnego zakresu.