Grunglagen Elektronik/pn-Übergang

Hallo,

also beim pn-Übergang trifft eine p-dotierte auf eine n-dotierte Halbleiterschicht. Im Berührungsgebiet diffundieren die Elektronen aus dem n in das p-Gebiet. Anfang bis Ende dieses Diffusionsbereiches werden nun als Raumladungszone bezeichnet. Ausserhalb dieser Zone befindet sich die elektrisch neutralen p und n-Gebiete [1]. Dort wo die Elektronen bzw. Löcher wegdiffundiert sind bleiben ortsfeste ionisierte Störstellen zurück. Dadurch kommt es zur Entstehung der Diffusionsspannung [2] (von einem zum anderen Ende der RLZ) die bei Si bekanntermaßen ca. 0,7V beträgt. Bekanntestes Bsp. aus der Praxis dürfte ja eine Si-Diode sein.

Nun meine Fragen: [1] wieso kann man ein p bzw. n-Gebiet als elektrisch neutral bezeichnen? Weil es innerhalb des Gebietes zu keiner weiteren Spannungsänderung mehr kommt?

[2] Normalerweise liegt an einer unbeschalteten Diode doch keine Spannung an, wohin verschwinden also die 0,7V Diffusionsspannung?

Ralf

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Ralf Sauermann
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"Ralf Sauermann" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@individual.net...

Sozusagen. Homogenes inneres Feld, alle Orte haben dieslbe Spannung, keine Veranlassung durch Stromfluss Ladungen auszugleichen.

Ebenso wie zwischen p und n 0.7V Differenz sind, sind zwischen n und Anschlussdraht und zwischen p und Anschlussdraht Spannungsdifferenzen, die sich um genau 0.7V unterscheiden :-)

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Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
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MaWin

hmm, die Erklärung ist so einfach, da musste ich gleich erstmal ne Weile drüber nachgrübeln :-)

Ralf

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Ralf Sauermann

Und dann grübel gleich mal weiter warum du mit deinem DVM keine

0.7V Spannung zwischen den Diodenanschlüssen messen kannst.

Tschüss Martin L.

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Martin Laabs

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