Remplacer MOSFET par IGBT

On Mar 19, 11:32=A0am, "Adrien Gaudel"

Peux-tu poster le sch=E9ma STP ?

30V e

Je n'ai pas (encore) le schéma. C'est un materiel du commerce et je n'ai pas fait le relevé de schema du pont de sortie qui est beaucoup plus complexe que le primaire. Est-ce indispensable ? que faut-il verifier ?

"Jean-Christophe" a écrit dans le message de news: snipped-for-privacy@o30g2000yqb.googlegroups.com... On Mar 19, 11:32 am, "Adrien Gaudel"

Peux-tu poster le schéma STP ?

On Mar 19, 11:45 am, "Adrien Gaudel"

i pas

xe

Ok.

Non, mais ca aide.

Comment ces MosFet sont-ils connect=E9s entre eux ? ( y a t'il des r=E9sistances de source, etc ... )

Les valeurs de dV/dt et dI/dt de ton IGBT sont-elles compatibles avec celles du groupement de MosFets ?

Je suis en train de faire le relevé de schéma. La partie puissance est finie, il me reste encore toute la commande. Aucune résistance d'equilibrage pour les MOSFET Voilà où j'en suis actuellement :

"Jean-Christophe" a écrit dans le message de news: snipped-for-privacy@x12g2000yqx.googlegroups.com... On Mar 19, 11:45 am, "Adrien Gaudel"

Ok.

Non, mais ca aide.

Comment ces MosFet sont-ils connectés entre eux ? ( y a t'il des résistances de source, etc ... )

Les valeurs de dV/dt et dI/dt de ton IGBT sont-elles compatibles avec celles du groupement de MosFets ?

"Adrien Gaudel" a écrit

Curiosité : tu dessines tes shémas avec quel soft ?

Splan 5 de Abacom (je crois que la dernière version est la 6 ou la 7)

"Snap" a écrit dans le message de news: ho04j9$gcu$ snipped-for-privacy@speranza.aioe.org...

"Adrien Gaudel" a écrit

merci

Ca ne marchera pas, il existe des différences importantes entre MOSFET et IGBT. La première dans un pont en H, c'est l'absence de diode de structure sur L'IGBT choisi. La ça risque de casser tout de suite. La seconde c'est la différence de temps importante entre le temps de switch on et switch off sur un IGBT. Cela requiert un "dead time" notable souvant réalisé au niveau du driver ou plus en amont. Dans un pont en H c'est fatal. La troisième concerne le temps de commutation. Un IGBT est 5 à 10 fois plus lent qu'un MOSFET. Il faut donc les utiliser à des fréquences 5 ou

10 fois plus basses, si non les pertes en commutations vont devenir énormes. Donc c'est loin d'être gagné. Pour réduire la dimension des inductances et des capas des filtres de sortie, il faut monter en fréquence, et la pas trop le choix, on met des MOS en paralléle.

Le vendredi 19 mars 2010 à 11:32 +0100, Adrien Gaudel a écrit :

Ok merci pour l'info J'abandonne donc l'idée. Mais ici le pont en H sert a faire du 50Hz "pseudo sinus" donc juste deux "beaux" rectangles, chaque demi pont conduit donc environ 10ms (pas de decoupage à haute frequence) donc le temps de commutation et la capacité à monter en frequence n'est pas un soucis ici.

"FABANG" a écrit dans le message de news:

1269072302.5368.0.camel@fangevin...

24V -> 230V

ssi bien

) est-ce

(10A - 400V) (soit

Merci

ET

sur

ans un

10 fois

ces 5 ou

e

des

4V -> 230V

si bien

est-ce

- 400V) (soit

Merci

Salut