[long] Colle du vendredi (transformation d'un MOSFET en barreau de silicium)

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J'ai donc un stagiaire qui s'occupe de l'optimisation de l'engin.

satisfaisant.

- 100kHz et ~100kHz sont des sorties d'un 74HCT132 (signaux 0/5V). Il s'agit de signaux avec un rapport cyclique de 50% issus d'un quartz, d'une PLL et de deux bascules D pour faire bonne mesure. Les deux PN2222A en base commune convertissent ce signal en 0/14V

adaptation de niveau avec un MOSFET parce que le bipolaire en base

qu'un BC337 parce que le signal est vachement plus propre en sortie avec le 2222A, au moins pour cette polarisation. Et j'en avais aussi en fond de tiroir !

Lorsque je mets la tension sur le point milieu du transformateur, j'ai Q21 et Q17 qui se transforment en barreaux de silicium. Je n'ai

trois essais ;-)

valeur maximale admissible, ce qui l'envoie au paradis des transistors assez rapidement.

n'y a pas de commutation sur la masse).

Une tension Vds trop importante (Vdsmax est de 40V pour ce

nous ne tirons aucune puissance du secondaire du transformateur.

entre 20V et PowerGND. Est-ce que c'est le snubber qui pourrait faire des choses bizarres avec le transformateur ? Par exemple

JKB

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JKB
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au secondaire du transfo ?

Les signaux 100_kHz et 100_kHz(barre) ont-ils leurs transitions

entre la transition de l'un et la transition de l'autre ?

de gros pains d'oscillations dans le circuit ?

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Jean

Le Sat, 31 Aug 2019 07:52:43 +0200,

Bonjour Jean,

il faut les moucher pour forcer une extinction rapide, les transistors travaillant en saturation ou presque).

En base commune, on a de beaux signaux en sortie (juste un petit

bien passants).

Ils sont exactement en opposition. Il n'y a pas de risque de court-circuit, ils ne travaillent pas en pont.

suivant :

35 spires HT+-----VVVVVVVVV------HT- ========= T- -----VVVV+VVVV------T+ 2 | 2 TN

de consigne en sortie du transformateur (il n'y a pas d'isolation galvanique entre primaires et secondaires en raison du feedback).

transfo est un 760895631 de Wuerth. Rapports d'enroulement 35:2:2:3

pour un usage particulier). Inductance de l'engin, 500 uH.

La question que je me pose est la suivante :

que je ne vais pas me retrouver avec T- aux alentours de 2TN

expliquant sans doute cela.

J'ai sous la main des MOSFET tenant 100V, je vais tenter la chose

Bien cordialement,

JKB

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JKB

Le Sat, 31 Aug 2019 07:37:24 +0000 (UTC),

GND (pas PowerGND). Disons 3V, histoire de voir si les transistors

JKB

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JKB

Le Sat, 31 Aug 2019 16:39:35 +0200,

Ce sont deux transistors _identiques_.

Non, mais mon voisin a quelque cochons...

JKB

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JKB

Le Sat, 31 Aug 2019 16:39:35 +0200,

Pour avoir 185Vdc en sortie, il suffit de mettre au point milieu du transfo 3,6Vdc (je viens de mesurer).

Sauf que pour 3,6Vdc au point milieu du transfo, si je mesure bien un signal entre 7V et 0V sur le drain d'un MOSFET, le snubber provoque une suroscillation lors de l'ouverture du transistor. Et

13,6V.

La tension de consigne est de 305Vdc, donc il faudrait une tension

de la consigne), ce qui expliquerait bien la mort des MOSFET.

Sans le snubber, il n'y a pas ces suroscillations, mais la commutation est franchement moins bonne.

JKB

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JKB

Le Fri, 30 Aug 2019 17:02:32 +0000 (UTC),

anonymat et parce que son but est de servir la science, nous avons fait quelques mesures. Protocole : remplacement de Q20 et Q21 par des IRF540N, point milieu du transfo sur une alimentation

l'ouverture des MOSFET.

inverse sur les deux enroulements du transformateur, mais le

fonds de tiroir). Le but est d'absorber le pic de tension par les deux condensateurs.

5Vdc au point milieu du transformateur, on attrape un signal 0/10V

la commutation est du triple de la tension.

et le point milieu du transformateur. Ce n'est pas probant.

JKB

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JKB

Le Wed, 4 Sep 2019 10:01:35 +0200,

l'oscillation (qui est de 1,2 MHz), mais d'un pic de commutation lors de l'ouverture du circuit qui est plus rapide que le temps de recouvrement direct de la diode (50 ns donc 20 MHz). Effectivement,

passante de 500 MHz, mais avec 300 Mhz, on ne voit que le pic (un seul point).

l'impulsion est ce qui se propage dans le circuit avant que la STTH1R02 ne devienne passante.

JKB

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JKB

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