Jeg skal bryde en strøm på 10A ved 48VDC Det kobles max 1 gang pr minut. Ofte vil der gå flere dage uden koblinger.
Kan nogen af jer anbefale en transistor til dette formål ?? Skal måske tilføje at der skal være med nulgennemgang, altså hvis der ikke er spænding på base så skal transistoren lede strømmen til det tilsluttede udstyr.
Der er rigtigt mange der kan bruges, men jeg har selv brugt den her og den er til at få alle steder, well måske ikke i Bilka, men Århus Radiolager havde den på lager alle de gange jeg havde brug for en:
formatting link
Den her kan holde til 55V, så det kan godt ske at du skal browse lidt rundt i Philips' online katalog og finde en der kan holde til lidt mere, bare for en sikkerhedsskyld:)
Øhm, nulgennemgang er noget man har ved AC hvor man tænder og slukker for switchen når der ikke løber nogen strøm.
Hvor stort er styresignalet?
--
Flemming Frandsen aka. Dion of Swamp http://dion.swamp.dk
En FET og en bipolær benytter fundamentalt forskellige måder til at lave elektrisk forstærkning på. Af samme årsag er karakteristik felterne også en hel del anderledes.
På en FET transistor løber strømmen parallelt med overfladen af materialet, hvilket gør at man bl.a. kan direkte udnytte udvikling i geometrierne til at lave mindre og hurtigere transistorer, som samtidig også har lavere parasitter. Styresignalet ("gate") indgår kun kapacitivt, og der løber derfor ikke nogen DC-strøm i gaten.
I en Bipolær transistor løber strømmen hovedsageligt vinkelret på overfladen af materialet. Pga behovet for kontaktering til den "nederste" terminal (typisk collector terminalen), fylder en bipolær transistor væsentligt mere end en FET. Yderligere er en bipolær transistors hastighed sat af hvor tynde "basis" lag man kan pådampe. Idet den bipolære transistor baserer sig på at man injicerer ladning ind via styreindgangen, vil der løbe en DC-strøm i den.
Yderligere har bipolære transistorer et problem med "thermal runaway", dvs at opvarmingen af selve transistoren fra den løbende strøm resulterer i en lavere parasitisk modstand, som igen giver højere strøm => positiv tilbagekobling. En FET har ikke dette problem.
ObBonus trivia: Kilby et al frosøget egentligt at lave en FET, da de opdagede den bipolære transistor.
Der er kun en hage ved det - sørg for at få en fra et anerkendt fabrikat
- i en periode var der en del "falske" 2n3055 i omløb - der ikke holdt specifikationerne der var for stor termisk modstand fra chip til hus - så de døde hvis de fik for stor belastning, om det er et problem mere ved jeg ikke, men formentlig ikke. Så hvis det er nys indkøbte stumper du bruger er det formentlig OK.
En stor fordel ved Fet transistorer er at styresignalet er spænding og at de åbner helt, dvs. meget mindre varmeudvikling.
Sammenligning: Mosfet: For at åbne skal den have 12 volt og ingen strøm på gaten, når den er åben er der 0.01 ohm (afhængig af type) mellem drain og source. Dvs. spændingsfald omkring 0.1 volt ved 10 A.
Bipolar (2N3055): For at åbne (for 10 A) skal den have 1.5 volt, 1 A på basis (Giver en lun basismodstand), der vil ligge omkring 1 volt mellem emitter og collector.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.