FET switch

I en applikation hvor man forestiller sig at der skal sikres mod forkert polarisering, kan man da ikke anvende en FET transistor? Har kigget på om man kan anvende en MOSFET, men de har jo en intern diode i den normale spærreretning som vil lede strømmen hvis der byttes om på + og - . Har prøvet at lave en skitse af opstillingen, (skal lige kopieres ind i notepad):

P-CH FET S D + ----|||-----| --- - G| | | | | | Load | - | | - ------*------

Mon man kan anvende en JFET, eller er der en måde hvorpå man kan anvende en MOSFET? Håber spørgsmålet er forstået.

Mvh Wind

Reply to
Carsten Wind
Loading thread data ...

"Carsten Wind" skrev i en meddelelse news:43e49f0e$0$15785$ snipped-for-privacy@news.sunsite.dk...

Hvorfor ikke bare sætte en diode i serie med kredsen???

Børge

Reply to
bl

Der er andre der har brugt MOSFET transistor som polaritetsbeskyttelse. Men der er lige den finte at transistoren skal vende forkert!

Her har jeg prøvet at skitsere det med body-dioden indtegnet:

P-CH MOSFET

*--|>|--* | | + ---*--|||--*----* D --- S | | - G| | | | | | Load | - | | - --------*-------*

Når spændingen tilsluttes leder body-dioden først, og når der så er G-S spænding nok tager transistoren over.

--
  Med venlig hilsen,    Ove Kjeldgaard,    nospam AT privat DOT dk
  Natur og Friluftsliv:
Reply to
Ove Kjeldgaard

Jeg har en anden løsning, som måske er grim, men den er effektiv, og der er kun et lille spændingsfald over den:

Man sætter en sikring i kredsløbet og en diode parallelt over, på den anden side af sikringen. Vender man det forkert fyger sikringen. I en del tilfælde har jeg så brugt en multifuse, så man slipper med skrække.

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

Den metode er kendt fra Walkie-Talkie dengang de var moderne. Jeg vil hellere dimensionere mine kredsløb, så jeg kan acceptere spændingdfaldet over en diode. Den med en paralleldiode er jo destruktiv, i hvert fald for sikringen.

Børge

Reply to
bl

Du skal ruge ne N eller P MOSFET, bytte S og D, og sætte en modstand i gaten, eks. 10K - så har du en næsten ideel diode.

Har lige brugt princippet i et batteridrevet apparat - u/50mV v/ 1A

Reply to
Ole Geisler

Njahhhh.... Ikke hvis du bruger en polyfuse. Den bliver ret omgængelig, når den bliver kold igen,

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

Hej

Løsningen fra Ove Kjeldgaard var også den jeg havde i tankerne. Til Ole G. kan du ikke prøve at skitsere dit kredsløb? Den gate modstand, den skal have fat i gaten, men den anden ende af modstanden? Noget andet er, hvis du bytter om på D og S, får du vel FET dioden i lederetningen hvis der bliver vendt om på polariteten!?

Mvh Wind

Reply to
Carsten Wind

Den modsatte forsyningsspænding.

Nej, ideen er netop at du udnytter dioden i lederetningen, FETen kortslutter så dioden - og voila - du har en (næsten) ideel diode.

Reply to
Ole Geisler

Okay

Til Ole G.

Har jeg så forstået din opstilling korrekt? du anvender samme opstilling som Ove Kjeldgaard (se hans indlæg), men inkludere blot en gate modstand?

Mvh Wind

G.

have

Reply to
Carsten Wind

Ja.

Reply to
Ole Geisler

Okay. Hvorfor inkludere du i det hele taget en gate modstand? designet vil vel virke uden, hvor gate blot er forbundet direkte til GND!

som

Reply to
Carsten Wind

Fordi det er en god ide.

Ja. Hvis løsningen ikke behøver at være specielt driftssikker.

Reply to
Ole Geisler

Kan du beskrive det nærmere?

Reply to
Carsten Wind

Ja, det kan jeg. Alle former fra transienter ifbm. tænd/sluk af apparatet vil være destruktivt overfor FETen.

Det er _altid_ dårlig designskik at have direkte "halvleder" mellem forsyningsspændinger.

Men spar du bare den modstand.

Reply to
Ole Geisler

Okay, nu har jeg forstået det. Lad os bare lukke tråden her :-)

Reply to
Carsten Wind

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.