Dual Gate fets ?

Do you have a question? Post it now! No Registration Necessary

Translate This Thread From Danish to

Threaded View
Nogen som har fundet nogle "How Dual Gate FET's work" guides på nettet eller
har ti minutter til at forklare præcis hvad de gør og hvordan man evt.
regner på dem ?

f.eks.

Signal 20mVpp ind på G1 og regulerbar DC på G2 så kan man styre
forstærkningen ?

Hvordan sætter man f.eks et regne stykke op for sådan en hvis man ønsker
10gg forstærkning af et HF signal på eks. 433,92MHz ?

Mine "gamle" skolebøger omtaler ikke denne slags fet :(

Jeg har hørt at GaAs dual gate er "bedre" end andre til HF hvorfor egentligt
det ? hvad skal man kigge efter hvis man skal fuske med HF modtagere når man
kigger på transistorere... det eneste jeg kender til er at Ft skal være så
høj som muligt :-D

/Madsen



Re: Dual Gate fets ?

Quoted text here. Click to load it
eller

Google på "dual gate mosfet" giver en del at se på.
Men at forklare hvordan den PRÆCIST virker kan ikke lade sig søre på 10
minutter. Fra ex Telefunken / Vishey kan man finde gode application notes.

Quoted text here. Click to load it

At man kan styre forstærkningen i transistoren, betyder ikke at man
umiddelbart kan opstille regnestykket for en forstærker med tilhørende
afstemning og forsyningskredsløb. Ofte bruges dualgate mosfet'en i mixer og
AGC kredsløb. Dertil kommer at tilbagevirkningen fra indre kapaciteter er
lille, hvorfor det ofte ikke er nødvendigt med stabiliseringskredsløb. I den
sammenhæng minder den lidt om en cascode kobling.

Bo //



Re: Dual Gate fets ?
Hej Lasse!

Quoted text here. Click to load it
eller

Ja, det er et AGC-kredsløb.

Quoted text here. Click to load it

Det bliver nok svært, at lave en præcis G(VG2) beregning over det. Og da
denne styrespænding gerne anvendes i forbindelse med modkoblingssløjfer, så
er det også temmelig ligegyldigt, blot at G kan varieres indenfor et
nødvendigt, rimligt (og tilgængeligt) spændingsområde fra fejlforstærkeren.
Ønsker man sig en specifik forstærkning, så kan man jo modkoble sig ud af
missæren, dvs. have nogle uafkoblede drain og source modstande.

Quoted text here. Click to load it

Ja, undskyld, er de for "gamle" til at illustrere princippet i et
flergitter-rør? Se f.eks. hvordan man blander i et flergitterrør vs.
blandingen i en dual gate MOSFET.

Quoted text here. Click to load it
egentligt
man

Støjtallet! Hvad nytter det at smække en super-høj Ft transistor i et
HF-indgangstrin, hvis dens egenstøj er spedt spektrum? :-)

Hilsen
Lars



Re: Dual Gate fets ?
Quoted text here. Click to load it

... altså hvis den regulerbare DC kommer fra en reguleringssløjfe :-)

Hilsen
Lars



Re: Dual Gate fets ?

Quoted text here. Click to load it

Hej Lasse

Udviklingen indenfor HF - faktisk SHF, UHF og evt. VHF - har gået
rigtigt stærkt indenfor de sidste 30 år.

Både MOSFET (incl. dobbelgates) og bipolare transistorer er blevet
væsentligt bedre og det kan betale sig, at se sig godt for, hvis ønsket
er en rimelig god superheterodynmodtager.

Kravet til HF-trinet/forstærkeren er, at det kan tåle et stærkt signal
uden nævneværdig forvrængning/krydsmodulation og samtidig have lav støj.

Forstærkningen skal netop være så stærk at HF-trinets lave støjtal
dominerer over resten af superheterodynmodtageren. Dog skal
forstærkningen sænkes hvis det primære krav er storsignalhåndteringen -
dette gælder især på kortbølgebåndet.

Et modstridende - især i batteridrevet udstyr - er ønsket om lav
spænding og lavt strømforbrug.

Styring med AGC på HF-trinet skal gøres med omtanke, da både dobbel-gate
  FET og bipolare transistorer ændrer arbejdspunkt og dermed
belastningsimpedans overfor evt. afstemte resonanskredse.

Specielt enkel/dobbel gate (MOS)FET kan med fordel, for frekvenser
højere end ca. 1MHz, AGC kontrolleres med PIN-dioder på drain-udgangen.
FETs er lineare på gaten. Storsignalhåndteringen stiger med stigende
drain-dæmpning. Bipolare transistores forvrængning kan ikke med samme
succes dæmpes på kollektor, da forvrængning også kommer fra basis.

Dette var kravene til HF-trinnet.

**Ældre transistorer**
Nu til lidt historisk om mere eller mindre kendte transistorer:

Bipolare:
BF199
2N918 (Databladsstøjtal 6 dB@60MHz)
BFT66 (Databladsstøjtal 1,9 dB@800MHz)
BFR91A (Databladsstøjtal 1,6 dB@800MHz)
NE67383, NE71083 (Databladsstøjtal 0,4 dB@4GHz)
NE64535 (Databladsstøjtal 0,9 dB@500MHz)

Dobbelgate:
40673 (Kredsløbsstøjtal 3,0 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side
625-630 - rigtig god kort artikel om optimering af en antenneforstærker
til 2 meter båndet).
3N204 (Kredsløbsstøjtal 2,5 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side 625-630)
BF960 (Databladsstøjtal 2,8 dB@800MHz)
BF981 (Kredsløbsstøjtal 1,0 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side 625-630)
MPF122

Singlegate:
BF245 (Databladsstøjtal 1,6 dB@145MHz)
BF256 (Databladsstøjtal 7,5 dB@800MHz)

Fælles for mange af ovenstående transistorer er, at dér hvor støjtallet
er lavest er storsignalhåndteringen ikke optimal.

Storsignalhåndteringen i bipolare transistorer afhænger af
kollektorstrømmen og (mest)kilde og (mindre)belastningsimpedansen.

Storsignalhåndteringen i MOSFET,FET transistorer afhænger af
source-strømmen og kilde(noget) og belastningsimpedansen(meget).

Søg efter databladsinformation på nettet og kig især på graferne.


**Nyere transistorer**

Her er det muligt at finde nyere dobbel-gate (MOS)FET:
http://www.xs4all.nl/~barendh/Cateng/Cateng_fet.htm

F.eks. 3SK183 (ca.= BF966S, CF300(GaAs)) (Databladsstøjtal 1,8 dB@800MHz):
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/TFUNK/BF966S.html

-

Enkelt-gate FET:

CFY30 (GaAs) (Databladsstøjtal 1,4 dB@4GHz):
http://f5soh.free.fr/ftp/Doc/Amplification/cfy30.pdf

-

Schottky junction FET:
ATF-34143; SHF MESFET transistor med et teoretisk Fmin støjtal på
0,1dB@1GHz og et reelt støjtal på 0,5dB@5GHz.

Datablad:
http://www.qsl.net/df7tv/datasheets/atf34143.pdf
http://www.agilent.com/spg/products/pdf/rf/ATF34143.PDF

-

SiGe halvlederlegeringen giver transistorer med lav støj,
storsignalhåndtering, konkurrencedygtig lav pris og lavt strømforbrug.
Ideelt til mobiltelefoner og trådløse netkort til computere. Mange SiGe
transistorer har gode storsignalegenskaber, samtidig med lav støj og
gode impedans-tilpasningsmuligheder:

http://www.infineon.com/sige
F.eks.:
BFP640 (Databladsstøjtal 0,65 dB@1,8GHz. 70GHz Ft)

http://www.semiconductors.philips.com /
F.eks. SiGe BFU510 (Databladsstøjtal 1 dB@2GHz. 45GHz Ft)
http://www.semiconductors.philips.com/pip/BFU510.html

Ældre bipolare transistorer med lav støj og god storsignalhåndtering:
2N5109, 2N5179.

-

Følgende artikel har en god beskrivelse af designvalg, som også kan
overføres til f.eks. 70cm båndet:

A high-performance FM receiver for audio and digital applicatons, Wayne
C. Ryder, RF Design, Oct 1, 2000:
http://rfdesign.com/ar/radio_highperformance_fm_receiver /

Fundet via:
http://da.wikipedia.org/wiki/Superheterodynmodtager


**Følsomhed, støjtal og dynamikområde**

Noise Figure Notes - med Friis' Formel:
http://moon.pr.erau.edu/~lyallj/ee410/noise_fig.html

GBPPR Tech Bulletin #5 - Receiver Noise, Sensitivity and Dynamic Range
Relationships:
http://www.qsl.net/n9zia/receiver.html

Noise temperature, Noise Figure and Noise Factor:
http://www.satsig.net/noise.htm

Radio receiver sensitivity:
http://www.radio-electronics.com/info/receivers/sensitivity/sensitivity.php

mvh/Glenn


-



Site Timeline