Depletion FET

Hej

Kan man få depletion FETs som ikke er SMD? Type søges.

Benny

Reply to
Benny Højvælde
Loading thread data ...

"Benny Højvælde" skrev i en meddelelse news:4363f8fc$0$168$ snipped-for-privacy@dread11.news.tele.dk...

prøv at kigge hos rs eller farnell.

Reply to
Jacob

"Jacob" skrev i en meddelelse news:4363fa5e$0$21380$ snipped-for-privacy@read-nat.news.dk.uu.net...

Farnell har kun SMD. RS har normalt det samme som Farnell

Benny

Reply to
Benny Højvælde

En nem og hurtig måde at afvise et forslag på, uden at undersøge det.

prøv at søge BF245 på RS, og fortæl os om de har den.

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

Mente at junction FET "startede" ved 0 Volt, ikke negativ som depletion. Hvad f.... er forskellen så.

Det skal jeg lige undersøge.

Benny

Reply to
Benny Højvælde

det.

=2E=20

Hej Benny

Kig p=E5:

formatting link
Citat: "... By repelling them away from the gate region, the applied gate voltage=20 creates a depletion region around the gate area, thus restricting the=20 usable width of the channel just as the pn junction did.

Because this type of FET operates by creating a depletion region within=20 an existing channel, it is called a depletion-mode MOSFET. =2E.."

INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS:

formatting link
Citat: "... In addition to a choice of N-channel versus P-channel design, IGFETs=20 come in two major types: enhancement and depletion. The depletion type=20 is more closely related to the JFET, so we will begin our study of=20 IGFETs with it. =2E.. This type of IGFET, although it's called a "depletion-type," actually=20 has the capability of having its channel either depleted (channel=20 narrowed) or enhanced (channel expanded). Input voltage polarity=20 determines which way the channel will be influenced. =2E.."

mvh/Glenn

Reply to
glenn

Fandt det her på nettet og der var lidt sandt i det jeg antog.

formatting link

Junction FET (JFET)

I en n-kanal junction FET er der en åben n-kanal mellem drain og source. Kanalen indsnævres

ved at påtrykke en negativ spænding på gaten, som er forbundet til nogle p-lag, der ligger

omkring n-kanalen. [S&S, 1998, 447]

Depletion FET

En n-kanal depletion-FET fungerer på samme måde som en n-kanal JFET, blot med den forskel,

at kanalens bredde kan ændres i både positiv og negativ retning.

Ved VGS = 0 har kanalen en bestemt bredde, som bliver større ved VGS > 0 og mindre ved

VGS < 0.

Benny

Reply to
Benny Højvælde

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.