BJT og FET

Do you have a question? Post it now! No Registration Necessary

Translate This Thread From Danish to

Threaded View
Hvad er egentlig den helt klare forskel på BJT og FET transistorer......?
Og hvad er deres typiske anvendelsesområder?.....

Mvh.
Don



Re: BJT og FET
Quoted text here. Click to load it

En BJT styrer sin kollektor-/emitterstrøm vha. en basisstrøm
En FET styrer sin drain-/sourcestrøm vha. en ufattelig lille gatestrøm.
Gatestrømmen er lille, da gaten er isoleret fra resten af transistoren vha.
et oxidlag, hvilket giver anledening til høj modstand. Derfor antager man,
at FET'en styres af det elektriske felt, som et spændingpotentiale på gaten
vil frembringe.
Dette betyder, at man lettere kan lave forstærkertrin med høj
indgangsimpedans, hvis man bruger FET. Med udgangspunkt i en MEGET høj
indgangsimpedans i råforstærkeren, så slipper man for, at tage den med i
beregningerne. Men en høj indgangsimpedans kan også være skadelig overfor
ydre påvirkninger (f.eks. overspændinge), der nemt kan danne overslag i
FET'ens oxidlag.

Hilsen
Lars



Re: BJT og FET
Quoted text here. Click to load it
transistorer......?
Quoted text here. Click to load it
vha.
gaten

Tak for svaret, det vil altså sige at funktionaliteten er stort den samme?
Så anvender man hver af dem i en fælles-emitter kobling har det samme
effekt? Blot at der skal mindre spænding til for at tænde FET'en i forhold
til BJT'en eller....?

Don



Re: BJT og FET

Quoted text here. Click to load it
man,
overfor

Både og...
Der er ikke speciel stor forskel på hhv. FET-opstillingerne og
BJT-opstillingerne. Men rent arbejdspunktsmæssigt, der foregår der nærmest
det modsatte. En BJT vil først begynde, at trække strøm mellem collektor og
emitter, når at en basistrøm overvinder et diodespændingsfald på ca. 0,65V.
Men hos en jFET, der begrænses drain-/sourcestrømmen, hvis gaten påtrykkes
en negativ spænding i forhold til sourcen.

Quoted text here. Click to load it

Det kommer an på, hvilken FET, det drejer sig om. Men hvis det drejer sig om
en J-FET, så skal man ikke bruge gatespændingen til at tænde FET'en, men
derimod bruge gaten til at slukke den (ved hjælp af en negativ spænding i
forhold til soucen, der ofte laves ved at løfte sourcepotentialet op vha. en
simpel modstand i sourcen og til stel, samt en modstand fra gaten og til
stel). Da FET'en pga. høj gatemodstand er den spændingsstyret, så vil de
alene være den eksterne gatemodstand, der vil bestemme indgangsmodstanden
for koblingen...

Hilsen
Lars



Re: BJT og FET (FETs er nogle rigtige effektive kraftkarle)

Quoted text here. Click to load it
2E%..
Quoted text here. Click to load it

Hej Don

Fra:

Info om transistorer:
http://cph.ing.dk/konf/root/elektronik/html/2956.all.html

haves:

Et eksempel pE5% en Power MOSFET:20%
http://cph.ing.dk/konf/root/biler/html/3382.all.html#3511 Citat:20%
"...IRF1405 koster omkring 15kr/stk og klarer mindst 100A (bladet siger20%
169A, men benene kan ikke holde til det) kontinuE6%rt. On-modstanden er20%
5.2mOhm [ 3D% 0,0052 Ohm ! ]. I min egen Ellert bruges 4 grene a 420%
transistorer. Jeg har begrE6%nser ved 380A...". Her er databladet:20%
http://www.robot-power.com/downloads/irf1405-datasheet.pdf

[God tegning] Introduction to Power MOSFETs:20%
http://www.microsemi.com/micnotes/901.pdf
2E%..
Her anvendes 2 MOSFET transistorer i en hjemmebygget elektronisk20%
kommuteret [spole spE6%ndingsskift, omkobling] el-motor. Den elektroniske=
20%
kommutering overflF8%diggF8%r kul kommutering:

A Brushless [minus kul kommutering] Motor You Can Build:20%
http://www.rcmicroflight.com/library/motor1.asp

Anvendte MOSFET's:

48A, 60V, 0,025 Rds(on)@5Vgs, faktisk er 3Vgs nok til 10A. NDP6060L [20%
"L" 3D% Logic Level 5V for fuld udstyring]; N-Channel Logic Level20%
Enhancement Mode Field Effect Transistor:20%
http://www.fairchildsemi.com/pf/ND/NDP6060L.html20%
http://www.fairchildsemi.com/ds/ND/NDP6060L.pdf

mvh/Glenn


Site Timeline