BJT og FET

En BJT styrer sin kollektor-/emitterstrøm vha. en basisstrøm En FET styrer sin drain-/sourcestrøm vha. en ufattelig lille gatestrøm. Gatestrømmen er lille, da gaten er isoleret fra resten af transistoren vha. et oxidlag, hvilket giver anledening til høj modstand. Derfor antager man, at FET'en styres af det elektriske felt, som et spændingpotentiale på gaten vil frembringe. Dette betyder, at man lettere kan lave forstærkertrin med høj indgangsimpedans, hvis man bruger FET. Med udgangspunkt i en MEGET høj indgangsimpedans i råforstærkeren, så slipper man for, at tage den med i beregningerne. Men en høj indgangsimpedans kan også være skadelig overfor ydre påvirkninger (f.eks. overspændinge), der nemt kan danne overslag i FET'ens oxidlag.

Hilsen Lars

transistorer......?

vha.

gaten

Tak for svaret, det vil altså sige at funktionaliteten er stort den samme? Så anvender man hver af dem i en fælles-emitter kobling har det samme effekt? Blot at der skal mindre spænding til for at tænde FET'en i forhold til BJT'en eller....?

Don

"Don" skrev i en meddelelse news:bkeo38$7fp$ snipped-for-privacy@news.net.uni-c.dk...

man,

overfor

Både og... Der er ikke speciel stor forskel på hhv. FET-opstillingerne og BJT-opstillingerne. Men rent arbejdspunktsmæssigt, der foregår der nærmest det modsatte. En BJT vil først begynde, at trække strøm mellem collektor og emitter, når at en basistrøm overvinder et diodespændingsfald på ca. 0,65V. Men hos en jFET, der begrænses drain-/sourcestrømmen, hvis gaten påtrykkes en negativ spænding i forhold til sourcen.

Det kommer an på, hvilken FET, det drejer sig om. Men hvis det drejer sig om en J-FET, så skal man ikke bruge gatespændingen til at tænde FET'en, men derimod bruge gaten til at slukke den (ved hjælp af en negativ spænding i forhold til soucen, der ofte laves ved at løfte sourcepotentialet op vha. en simpel modstand i sourcen og til stel, samt en modstand fra gaten og til stel). Da FET'en pga. høj gatemodstand er den spændingsstyret, så vil de alene være den eksterne gatemodstand, der vil bestemme indgangsmodstanden for koblingen...

Hilsen Lars

=2E..

Hej Don

Fra:

Info om transistorer:

haves:

Et eksempel p=E5 en Power MOSFET:=20

Citat:=20 "...IRF1405 koster omkring 15kr/stk og klarer mindst 100A (bladet siger=20

169A, men benene kan ikke holde til det) kontinu=E6rt. On-modstanden er=20 5.2mOhm [ =3D 0,0052 Ohm ! ]. I min egen Ellert bruges 4 grene a 4=20 transistorer. Jeg har begr=E6nser ved 380A...". Her er databladet:=20 [God tegning] Introduction to Power MOSFETs:=20 =2E.. Her anvendes 2 MOSFET transistorer i en hjemmebygget elektronisk=20 kommuteret [spole sp=E6ndingsskift, omkobling] el-motor. Den elektroniske= =20 kommutering overfl=F8digg=F8r kul kommutering:

A Brushless [minus kul kommutering] Motor You Can Build:=20

Anvendte MOSFET's:

48A, 60V, 0,025 Rds(on)@5Vgs, faktisk er 3Vgs nok til 10A. NDP6060L [=20 "L" =3D Logic Level 5V for fuld udstyring]; N-Channel Logic Level=20 Enhancement Mode Field Effect Transistor:=20

mvh/Glenn