Na slici 7 u ovom .pdf-u:
je prikazano kako se, kada je gate MOSFET-a preko pull-down otpornika spojen na masu, tranzistor pali.
Sta ne bi za paljenje obogacenog P-MOSFET-a trebalo vrijediti:
Vgate < Vsource
a kada je tranzistor jos zatvoren je Vsource (s obzirom da preko tereta ne tece struja) isto na masi?