Salve, non avendo studiato elettronica chiedo a voi su una piccola questione.
Con un pushpull devo comandare un mosfettino, dal simulatore il picco di corrente non supera gli 80mA.
E' meglio se uso i BC547/557 da Ic=100mA che ne ho tanti o i BC337/327 da Ic=500mA che devo comperare?
Cioe', da ignorante, con un bjt da 500mA i fronti sarebbero migliori? diciamo, ha "meno resistenza"?
O visto che siamo sotto i 100mA uno vale l'altro?
Grazie.
In data settembre 2017 alle ore 13:09:01, zio bapu ha scritto:
non ho capito bene il picco di corrente =E8 quello che eroga il driver del MOSFET?Oppure quell= o che passa attraverso il MOSFET?
Tu stai chiedendo se coi BJT pi=F9 grossi i MOSFET sarebebro pilotati megli= o? Intanto non puoi verificarloe col simulatore?
-- Questa email =E8 stata esaminata alla ricerca di virus da AVG. http://www.avg.com
Il 10/09/2017 13:09, zio bapu ha scritto:
non ci sono molti dettagli nei datasheet che ho trovato...
gate del mosfet a rallentarli i BC337/327 hanno una tensione di saturazione a 100mA 4 volte inferiore di quella degli altri
-- bye !(!1|1)
Il giorno domenica 10 settembre 2017 17:46:22 UTC+2, blisca ha scritto:
i 7
quello
meglio?
Il picco di 80mA e' quello che va a caricare il gate. Non mi fido troppo del simulatore, confido di piu' in un parere "reale".
mandi
Il giorno domenica 10 settembre 2017 11:09:02 UTC, zio bapu ha scritto: ...
...
Il BC337 a 100mA satura mentre il BC547 no. Per il tuo impiego, le curve sono decisamente a favore del BC337. Io stesso realizzando antichi flip-flop ho avuto modo di verificare le migliori prestazioni del '337. Il '547 lo vedo meglio in ambito lineare.
Piccio.
Grazie per le risposte, rispondo a entrambi.
Scusate l'ignoranza, ma nel caso del pushpull ho letto che i transistor non saturano mai quindi e' importante? Esempio, l' NPN che sta in alto in uscita (sull'emettitore) mi puo' dare al max: Vcc-0.6V(Vbe) perche lavora come inseguitore.
Ora, la Vce troppo alta si somma alla Vbe e finisco per avere sull'emettitore Vcc-Vbe-Vce? O si sottrae alla differenza di potenziale di 0.6V (bjt non saturo) che si trova tra C ed E?
Non so se mi spiego, in condizioni normali sull'emettitore mi trovo una tensione inferiore di 0.6V rispetto alla Vcc (se la base arrivasse a Vcc) anche se il bjt potendo saturare avrebbe una Vce di 0.1V.
Quindi anche se la Vce arriva a 0.6V non saremmo pari? E sull'emettitore ho sempre Vcc-Vbe?
Cioe': prendendo come riferimento l'emettitore se la base e 0.6V piu' in alto, anche se il collettore arrivasse a 0.6V piu' in alto non sarebbe ininfluente?
Mandi
Il 10/09/2017 13:09, zio bapu ha scritto:
one.
corrente non supera gli 80mA.
da Ic=500mA che devo comperare?
iamo, ha "meno resistenza"?
Per i fronti non saprei ma siccome i bjt possono avere delle tolleranze notevoli io opterei per i BC337/327 a maggiore corrente. Fabio
-- virus. https://www.avast.com/antivirus
Il 11/09/2017 18:16, zio bapu ha scritto:
quale tipo di push pull? NPN + PNP (in classe C) presumo...
no, conta solo Vbe (meno la caduta di tensione dovuta all'impedenza di uscita dello stadio precedente) potresti avere Vcc - Vcesat solo pilotando la base con un condensatore carico in grado di portarla ad una tensione superiore a Vcc
questo caso serve solo per pilotare il mosfet o bjt che funge da interruttore
se vuoi avere un'escursione maggiore puoi usare un buffer CMOS con le porte in parallelo
teoricamente potresti usare un circuito del genere (vedi sotto), ma
dello stadio di uscita si troverebbero periodicamente in conduzione, sia pure per brevi istanti
attenzione equivale ad un inverter
[FIDOCAD] MC 55 55 1 0 200 MC 55 70 1 0 200 MC 70 45 0 1 300 MC 70 95 0 1 310 MC 75 30 0 0 310 MC 75 110 0 0 300 MC 55 15 0 0 115 MC 55 115 0 0 115 LI 90 40 90 100 0 LI 55 70 45 70 0 LI 90 70 100 70 0 LI 55 25 55 35 0 LI 55 15 90 15 0 LI 90 20 90 15 0 LI 55 105 55 115 0 LI 55 125 90 125 0 LI 90 120 90 125 0 LI 70 115 70 125 0 MC 70 95 0 0 115 MC 70 35 0 0 115 LI 70 15 70 35 0 LI 70 45 70 95 0 LI 70 105 70 115 0 LI 55 30 75 30 0 LI 55 110 75 110 0 SA 55 30 0 SA 70 45 0 SA 70 95 0 SA 55 110 0 SA 70 125 0 SA 55 70 0 SA 90 70 0 SA 70 15 0 MC 80 70 2 0 170 LI 80 70 80 125 0 SA 80 125 0 SA 70 70 0-- bye !(!1|1)
o:
Oddio, io pensavo esistesse un tipo solo, il classico, vedi fidocad in fond o.
Quindi anche se la Vcesat a 80mA sul datasheet raggiunge i 0.6V in realta i n questo caso non influisce, giusto?
Rispiego: se la Vcesat e' di 0.6V me ne frego perche tanto all'emettitore h o comunque Vcc-0.6(Vbe).
Ma poche porte insieme non arrivano a 80mA.
Visto, grazie, resto sul semplice e risparmioso.
Alla fine, a parita' di hfe tra BC547 e BC337 ci sarebbero differenze serie ?
Grazie
mandi
[FIDOCAD] MC 105 70 0 0 310 MC 105 50 0 0 300 LI 105 70 105 50 LI 105 60 85 60 MC 145 60 0 0 445 LI 145 60 120 60 LI 165 65 165 80 LI 165 80 85 80 MC 120 40 3 0 010 MC 120 80 0 0 040 LI 75 70 85 70 LI 85 70 85 50 LI 85 50 75 50 TY 70 55 5 3 0 0 0 * 555Il 12/09/2017 17:29, zio bapu ha scritto:
da qualche parte ho visto anche driver fatti solo con NPN...
in questo caso forse guarderei sia Vbe-sat che il guadagno,
transistor speciali tipo gli zetex
ma gli 80mA non sono quelli che attraversano l'induttore? penso che ne servano meno per pilotare il gate di un mosfet di bassa potenza, altrimenti a questo punto ti conviene usare un BJT invece del mosfet... il solito zetex (o simili) a elevatissimo hFE e bassa tensione di saturazione
-- bye !(!1|1)
tto:
Non per i 100mV in piu' e' per, diciamo, l'impedenza del pushpull, i BC547 mi caricano il gate piu' lentamente?
Gli 80mA sono il picco per caricare il gate.
Grazie
mandi
Il 13/09/2017 18:03, zio bapu ha scritto:
BC327-337 e BC547-557, simula...
metti un generatore di tensione impostandolo come onda quadra con i tempi rise/fall, tensione, ecc. che ti servono
poi tramite resistenze (per simulare quella interna del 555) piloti diversi buffer in classe C (tanti quanti sono i transistor che vuoi
direttamente da mosfet e induttore e vedi poi quale sembra andare meglio
-- bye !(!1|1)
o:
D'accordo, ma speravo nell'esperienza di qualcuno,speriamo di otterere una prova almeno un po' reale.
Tempo fa ho fatto caso che i modelli dei transistor della ZTX hanno tutti g li stessi parametri!!!! Cambia solo la dicitura Ic=500mA oppure 2A ecc. Inoltre i due modelli di mje13007 che ho si comportano in modo completament e diverso, in un caso il circuito autooscillante non funziona proprio.
Sperin.
Grazie
mandi
Il 14/09/2017 16:57, zio bapu ha scritto:
avevo 5 minuti e ho voluto provare al simulatore il bc327-337 pare migliore (di poco)
penso che anche nel caso reale le differenze siano tutto sommato minime
-- bye !(!1|1)
o:
Pero' ho notato che se cambio costruttore (sul simulatore) lo stesso bjt si comporta in modo differente, per questo ho sperato in una esperienza reale .
Tengo il BC547 e nel prototipo provo a cambiare e a vedere se si riesce a m isurare qualche differenza nel rendimento.
mandi
Il 15/09/2017 19:22, zio bapu ha scritto:
se posso provo a fare un circuito di test entro la prossima settimana...
-- bye !(!1|1)
Il giorno sabato 16 settembre 2017 07:14:50 UTC+2, not1xor1 ha scritto:
No, no, lascia, lo faccio io, figurati.
Grazie comunque.
mandi
Il 15/09/2017 19:22, zio bapu ha scritto:
ho appena riscontrato lo stesso problema con modelli di due diversi produttori di un opamp MC3470*
nella versione ST la corrente assorbita aumenta di 10 volte e addirittura cambia di segno se impiego l'operazionale come comparatore
tutto normale
assorbita quando l'uscita satura (quelli che ho sono ST)
-- bye !(!1|1)
Il giorno domenica 10 settembre 2017 13:09:02 UTC+2, zio bapu ha scritto:
one.
corrente non supera gli 80mA.
da Ic=500mA che devo comperare?
iamo, ha "meno resistenza"?
..a me piace pensare quello ..che per le caratteristiche mutevoli dei trans
Il 17/09/2017 09:50, rondine ha scritto:
-- bye !(!1|1)
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