Re: Последовательное соединение MOSFET

Ток, стало быть, 40 ампер.

Ну, 5 нс это не так уж страшно, я боялся, что тебе 1 наносекунда нужна.

Длительность импульса задаётся формирующей линией. Каковая на такое напряжение представляет собой небольшой моток 50-омного кабеля, может, даже 4хмиллиметрового.

Длительность пачки, надеюсь, разумная? А то частота, того, высоковата будет. Хотя... какой-нибудь ТГИ1-100/8, вроде, должен справиться, режим-то облегчённый. Только вот фронт с него подлиннее раза в четыре будет, так что понадобится ещё пермаллоевый компрессор мотать, одного каскада, думаю, хватит.

Советские тиратроны стоят примерно столько же, но рублей. Размер всего устройства, правда, будет не со спичечный коробок, а литров 5, не считая источника питания.

Вал. Дав.

P.S. А мосфетов... 20 штук 100 вольтовых... Да ещё каждому своё управлние подавай, да непростое (открыть мосфет за 5 нс ещё постараться надо)... ну его нафиг. Разве что в массовом изделии.

Reply to
Valentin Davydov
Loading thread data ...

Fri Sep 26 2003 09:46, Valentin Davydov wrote to Andrew Zhukowski: >> Частота повтоpения импyльсов в пачке может быть 100 кГц.

VD> Длительность пачки, надеюсь, разумная? А то частота, того, высоковата VD> будет. Хотя... какой-нибудь ТГИ1-100/8, вроде, должен справиться, VD> режим-то облегчённый.

А на деионизацию и заряд линии 10 мксек хватит? А то, помнится, они не очень быстрые в этом смысле. Еще возникает мысль об импульсных тиристорах, но тоже они не шибко быстрые по выключению.

VD> P.S. А мосфетов... 20 штук 100 вольтовых... Да ещё каждому своё управлние VD> подавай, да непростое (открыть мосфет за 5 нс ещё постараться надо)... VD> ну его нафиг. Разве что в массовом изделии.

Hууу ... Я посмотрел данные на STP20N60C3 - время включения близкое к указанному можно получить. Hу накрайняк еще обостритель импульсов. А их все же

4 потребуется, а не 20. Hу и 4 формирователя стоковых напряжений (выходные каскады, видимо, на низковольных MOSFET, т.к. ток и фронт понадобятся нехилые

- но, может быть, на ВЧ мощных биполярах лучше). Зато точно успеет закрыться. Хотя проблемы есть, конечно ...

Hо импульс безусловно должен формироваться линией, а не включением-выключением ключа. Благо это не просто, а очень просто - небольшой кусок коаксиала.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Reply to
Aleksei Pogorily

Fri Sep 26 2003 19:14, Valentin Davydov wrote to Aleksei Pogorily:

VD> Заряд линии - это, как бы, проблема источника питания. По ТЗ в нагрузку VD> должно идти 400 Вт средней мощности, так вынь их да положь (реально около VD> 500 без компрессора, а с компрессором все 600-700). А на деионизацию - VD> надо смотреть. Hа 20 кГц оно у меня работало штатно. В конце концов, есть VD> и ТГИ1-500/16.

Источник, конечно, должен выдавать мощность. Hо обычная дроссельно-диодная цепь заряда как работает: разряд произошел - и сразу же пошла зарядка линии. Если напряжение слишком быстро возрастает - тиратрон опять зажжется из-за того, что в нем плазма еще проводит (деионизация не прошла). Можно, конечно, подавать зарядное напряжение через ключ, с задержкой - но это не сильно интересно, т.к. нужен еще один высоковольный ключ, хотя и с более низкими требованиями к скорости.

VD> Как раз 5 нс на одном мосфете получить не проблема, решается на одном VD> конденсаторе, трёх резисторах и одном КТ342А (впрочем, когда я последний VD> раз делал эту схему, КТ342А под рукой не оказалось, и вполне подошёл VD> отобранный КТ315Г, даже лучше получилось, за счёт меньшей индуктивности VD> выводов ;-). Проблема в согласованной работе сложной схемы.

Лавинный транзистор? А он выдаст сколько надо действительно мощному MOSFET, с зарядом затвора при включении нанокулон 30-50?

VD> Какая разница, пусть хоть 2 - всё равно надо их затворы (в т.ч. VD> миллеровские ёмкости) зарядить быстро, равномерно и одновременно. VD> Ведь не поставишь же их просто по схеме с общим затвором.

Да, конечно. Hо те же STP20N60C3 имеют довольно малое и время задержки включения при большом токе в затвор. Хотя я согласен - проблемы с согласованием будут.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Reply to
Aleksei Pogorily

Заряд линии - это, как бы, проблема источника питания. По ТЗ в нагрузку должно идти 400 Вт средней мощности, так вынь их да положь (реально около

500 без компрессора, а с компрессором все 600-700). А на деионизацию - надо смотреть. На 20 кГц оно у меня работало штатно. В конце концов, есть и ТГИ1-500/16.

Как раз 5 нс на одном мосфете получить не проблема, решается на одном конденсаторе, трёх резисторах и одном КТ342А (впрочем, когда я последний раз делал эту схему, КТ342А под рукой не оказалось, и вполне подошёл отобранный КТ315Г, даже лучше получилось, за счёт меньшей индуктивности выводов ;-). Проблема в согласованной работе сложной схемы.

Какая разница, пусть хоть 2 - всё равно надо их затворы (в т.ч. миллеровские ёмкости) зарядить быстро, равномерно и одновременно. Ведь не поставишь же их просто по схеме с общим затвором.

Применять генераторные транзисторы в импульсных схемах сродни использованию генераторных ламп в модуляторах.

Вал. Дав.

Reply to
Valentin Davydov

Причём по синусоиде, да ещё и почти вдвое меньшей частоты, чем частота импульсов. Так что в запасе есть полпериода, пока напряжение возрастёт до половины зарядного.

Дык, я и говорю, надо смотреть.

Ага.

Запросто. 80-90 вольт и 430-560 пФ - вполне нормально для этой схемы. Или 60-70 вольт и 510-680 пФ для КТ342А.

Вал. Дав.

Reply to
Valentin Davydov

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.