Pазница

Что занчит "резонансная нагрузка"? Содержит ли она параллельную ёмклсть?

Мост будет работать вхолостую. При этом потери на Rdson исчезнут и нагрев транзисторов будет определяться перезарядкой их внутренних ёмкостей по формуле P=U*f*Qd, где Qd - суммарный заряд стока всех четырёх транзисторов при зарядке соответствующей ёмкости до наряжения питания.

При помощи датчика тока нагрузки. Как именно его использовать - зависит от фантазии разработчика, в природе встречаются варианты от прямого формирования управляющих ключами сигналов из сигнала датчика до подачи последнего на отдельный вывод управляющего процессора.

У БСИТ есть токовый хвост, влияние которого, впрочем, в такой схеме эквивалентно вышеупомянутой ёмкости.

Посредством системы защиты (которая сама может предположительно сдохнуть).

Идея плохая: нижние транзисторы будут работать в активном режиме и наверняка перегорят раньше предохранителей. Лучше уж делать систему управления так, чтобы при любой вероятной неисправности силовые ключи оставались запертыми.

Обычный импульсный трансформатор. Можно даже готовый подобрать.

Если эта IR2111 без встроенного диода, то можешь. Только учти, что твоя гальваническая развязка должна выдерживать полный размах напряжения питания на рабочей частоте, иными словами, иметь достаточно маленькую проходную ёмкость.

Что значит "форсированное закрывание" применительно к МОП?

Банальный перегрев из-за неправильно выбраннной мощности прибора и/или полхих условий охлаждения. Превышение режимов по напряжению (точнее, лавинной мощности) и/или dU/dt. Самовозбуждение на высокой частоте из-за паразитных реактивностей монтажа. Да мало ли ещё чего.

Вал. Дав.

Доброго времени суток тебе Valentin!

VD> Что занчит "резонансная нагрузка"? Содержит ли она параллельную VD> ёмклсть? Схема такая может быть :

VD> Мост будет работать вхолостую. При этом потери на Rdson исчезнут и VD> нагрев транзисторов будет определяться перезарядкой их внутренних VD> ёмкостей по формуле P=U*f*Qd, где Qd - суммарный заряд стока всех VD> четырёх транзисторов при зарядке соответствующей ёмкости до наряжения VD> питания. Тоесть ничего страшного.

VD> При помощи датчика тока нагрузки. Как именно его использовать - VD> зависит от фантазии разработчика, в природе встречаются варианты от VD> прямого формирования управляющих ключами сигналов из сигнала датчика VD> до подачи последнего на отдельный вывод управляющего процессора. Схема управления пока мыслиться довольно простая на мелкой логике.

VD> У БСИТ есть токовый хвост, влияние которого, впрочем, в такой схеме VD> эквивалентно вышеупомянутой ёмкости. Прошу прощения - я по глупости считал, что БСИТ и IGBT это одно и то-же. IGBT имел я в виду.

VD> Посредством системы защиты (которая сама может предположительно VD> сдохнуть). Какие идеи можешь подкинуть - я видел решение с датчиками тока в эмиттерах "верхних" IGBT сигнал с которых переводит "верхнии" транзисторы в линейнв\ый режим, ограничивая ток до момента сгорания предохранителей... >> Идея - в истоках (эмиттеpах) - токоизмеpительные pазистоpы ит них >> тpанзистоpы "пpикpывающие" силовики - а затем выгоpают пpедохpанители >> в стоках (коллектоpах) "веpхних" ключей.

VD> Идея плохая: нижние транзисторы будут работать в активном режиме и VD> наверняка перегорят раньше предохранителей. Лучше уж делать систему VD> управления так, чтобы при любой вероятной неисправности силовые ключи VD> оставались запертыми.

Я говорю о случае сдыхания драйвера.

VD> Обычный импульсный трансформатор. Можно даже готовый подобрать. Критерии, как ?

VD> Если эта IR2111 без встроенного диода, то можешь. Только учти, что VD> твоя гальваническая развязка должна выдерживать полный размах VD> напряжения питания на рабочей частоте, иными словами, иметь достаточно VD> маленькую проходную ёмкость. Я удивлся сколько реально жрет на 50-60 кГц IR2151 - милиампер 300... 8-О И транзисторы на ней с Сз около 1 нФ, а если с 5 нФ (IRFP460) - .... >> 6) Ессть-ли какие-то микpосхемы, обеспечивающие фоpсиpованное >> откpывание/закpывание МОП и БСИТ тpанзистоpов

VD> Что значит "форсированное закрывание" применительно к МОП?

Uз<Uс

Тоесть с двухполярным питанием...

VD> Банальный перегрев из-за неправильно выбраннной мощности прибора и/или VD> полхих условий охлаждения. Это не мгновенный процесс - успеет датчик перегрева.

VD> Превышение режимов по напряжению (точнее, VD> лавинной мощности) Как учитывать ?

VD> и/или dU/dt. А тут - снижать сопротивление цепи питания затвора ?

VD> Самовозбуждение на высокой частоте VD> из-за паразитных реактивностей монтажа. А какие тут можешь дать рекомендации...

VD> Да мало ли ещё чего. :))))

Будь счастлив(а) Valentin... С уважением Wladimir.

Зависит от ёмкости, частоты и напряжения. К примеру, 100 нанокулон при напряжении 500 вольт и частоте 1 МГц - это уже 50 Вт, не так уж и мало.

Мелкая логика обычно не в состоянии достаточно быстро перезаряжать затворы мощных MOSFETов, так что нужны ещё драйвера.

Я, признаться, тоже ;-) У БСИТов как раз с хвостом всё в порядке.

Я бы поразмыслил над контрольным мостом (например, выпрямительным из диодов) и сравнением тока нагрузки с током шин питания при помощи дифференциального трансформатора.

А я - о том, что ограничивать ток ключа - верный способ его сжечь. В нормальной импульсной схеме ключ либо отперт, либо заперт, собственно, именно поэтому у неё КПД такой большой.

Минимальная рабочая частота, время нарастания, сопроитвление обмоток. Для верхних плеч, возможно, ещё межобмоточную ёмкость учесть надо.

Что-то у тебя не так. На такой частоте она должна рассеивать долю ватта. Ты не забыл, что у ней стабилитрон параллельно питанию?

Есть. ICL7непомнюкакие. Не помню потому, что редкость большая.

Не упомню ключей средней мощности со встроенными датчиками температуры.

В мосту - достаточно просто. Например, варистором между шинами питания.

Скорее, наоборот.

Монтаж вести правильно.

Вал. Дав.

Доброго времени суток тебе Valentin!

VD> Зависит от ёмкости, частоты и напряжения. К примеру, 100 нанокулон при VD> напряжении 500 вольт и частоте 1 МГц - это уже 50 Вт, не так уж и VD> мало. Питание моста - выпрямленная сеть - 311+/-20 В

VD> Мелкая логика обычно не в состоянии достаточно быстро перезаряжать VD> затворы мощных MOSFETов, так что нужны ещё драйвера. Драйвер само-собой.

VD> Я, признаться, тоже ;-) У БСИТов как раз с хвостом всё в порядке. Их на такой ток нету :( А паралелить слишком дорого при вылете.

VD> Я бы поразмыслил над контрольным мостом (например, выпрямительным из VD> диодов) и сравнением тока нагрузки с током шин питания при помощи VD> дифференциального трансформатора. Угу, датчик тока все-равно мыслиться.

VD> А я - о том, что ограничивать ток ключа - верный способ его сжечь. VD> В нормальной импульсной схеме ключ либо отперт, либо заперт, VD> собственно, именно поэтому у неё КПД такой большой. Да но чем более транзистор закрыт - тем меньше ток через него и тем больше времени у системы защиты до того как транзхисторы сдохнут. Мощность то ограничена. >> >> 4) Что-то по спpавочникам не нашел методики pассчета >> >> тpансфоpматоpа для yпpавления мощным полевиком (pазвязка) - как >> >> его считать ? >>

VD> Минимальная рабочая частота, время нарастания, сопроитвление обмоток. VD> Для верхних плеч, возможно, ещё межобмоточную ёмкость учесть надо. Вот где вообще почитать про это ?

VD> Что-то у тебя не так. Hа такой частоте она должна рассеивать долю VD> ватта. Ты не забыл, что у ней стабилитрон параллельно питанию? Да, я снижал напряжение до его порога стабилизации.

VD> Есть. ICL7непомнюкакие. Hе помню потому, что редкость большая. :(

А что присоветуешь не очень дорогое.

VD> Hе упомню ключей средней мощности со встроенными датчиками VD> температуры. Зачем встроенный - к силовику прижать мелкий транзистор или диод. >> VD> Превышение режимов по напряжению (точнее, >> VD> лавинной мощности) >> Как учитывать ?

VD> В мосту - достаточно просто. Hапример, варистором между шинами VD> питания. Между питающими или в диаглналь ? А смысл ? >> VD> и/или dU/dt. >> А тут - снижать сопротивление цепи питания затвора ?

VD> Скорее, наоборот.

VD> Монтаж вести правильно. А где посмотреть примеры и рекомендации ? Понятно дело он проводной будет.

Будь счастлив(а) Valentin... С уважением Wladimir.