Какими транзисторами с запасом по параметрам, можно заменить ключевые транзисторы к сабжевых компактах ? Стояли SBP 13 / Y309. (в другом аналогичном стоят Si 13003) Работали явно на пределе, ушли в К.З. Защитные диоды целые. IRF720 можно заменить?
P.S. Из 3-х сабжевых ламп 2-е за ~2 месяца вышли из строя. В одной перегорела "нить накаливания", во второй ключевые транзисторы. Из 7 светильников той же фирмы для 18w ламп группы Т8, за 2 года вышли из строя два. В одном перегорел предохранитель, во втором ушёл в обрыв конденсатор в цепи запуска ламп. после замены - живут нормально. (это так, если кому интересно)
Wed Dec 01 2004 12:07, Alexander Tsaplin wrote to All:
AT> Hello everybody.
AT> Какими транзисторами с запасом по параметрам, можно заменить ключевые AT> транзисторы к сабжевых компактах ? Стояли SBP 13 / Y309. AT> (в другом аналогичном стоят Si 13003) AT> Работали явно на пределе, ушли в К.З. Защитные диоды целые. AT> IRF720 можно заменить?
Менять биполяры на полевые - это цепь управления переделывать надо. А мощнее чем 13003 - это 13005, 13007 (какие буквы перед этими цифрами - не важно, обычно MJE). Если сильно греются - приделать небольшие радиаторы.
AT> P.S. Из 3-х сабжевых ламп 2-е за ~2 месяца вышли из строя. AT> В одной перегорела "нить накаливания", во второй ключевые транзисторы. AT> Из 7 светильников той же фирмы для 18w ламп группы Т8, за 2 года вышли из AT> строя два. В одном перегорел предохранитель, во втором ушёл в обрыв AT> конденсатор в цепи запуска ламп. после замены - живут нормально. AT> (это так, если кому интересно)
Ежели заменить на транзистор с запасом по такому ключевому для этой схемы параметру, как время рассасывания, то схема работать не будет. И сгорели они не от параметров, а от сквозного тока.
Wed Dec 01 2004 15:51, Valentin Davydov wrote to Alexander Tsaplin:
VD> Ежели заменить на транзистор с запасом по такому ключевому для этой VD> схемы параметру, как время рассасывания, то схема работать не будет. VD> И сгорели они не от параметров, а от сквозного тока.
Hасколько я ничего не понимаю, в дешевых балластах применяется схема с переключающим трансформатором. В этой схеме при насыщении трансформатора падает напряжение на базе открытого транзистора и начинается его закрывание. И лишь по мере закрывания, когда его напряжение К-Э становится больше чем половина напряжения питания, начинает открываться ранее закрытый транзистор. Так что разброс времени рассасывания может вызвать несимметрию. Hо вот сквозные токи - вряд ли.
А вот это - не совсем верно. Осциллограф показывает вещи, не совсем согласующиеся с элементарной теорией. Вкратце - напряжение на коллекторе может расти не из-за закрывания по базе, а посто от того, что ток через индуктивность нагрузки (и через транзистор) растёт.
Я не про разброс, а про отличие от той величины, при которой схема как-то худо-бедно работает.
At суббота, 04 дек. 2004, 14:57 Valentin Davydov wrote to Aleksei Pogorily:
VD> Верно.
VD> А вот это - не совсем верно. Осциллограф показывает вещи, не совсем VD> согласующиеся с элементарной теорией. Вкратце - напряжение на коллекторе VD> может расти не из-за закрывания по базе, а посто от того, что ток через VD> индуктивность нагрузки (и через транзистор) растёт.
Hу, ток коллектоpа pастет весь полупеpиод почти линейно (в начале он отpицательный, т.к. нагpузка индуктивная), а ток базы падает спеpва постепенно (мндуктивность намагничивания пеpключающего тpасфоpматоpа), а потом pезко (насыщение этого тpансфоpматоpа). Hо если тpанзистоp начинает закpываться до насыщения тpансфоpматоpа - это непpавильно спpоектиpованная схема. Да и в любом случае если напpяжение коллектоpа начало pасти - тpанзистоp вышел из насыщения, независимо от того, пpоизошло это по падению тока базы или pосту тока колектоpа. Впpочем, откpывание дpугого плеча пpи этом может дать свеpхтоки (пpи pавном токе базы ток коллектоpа с pостом коллектоpного напpяжения pастет) и выход за SOA с вытекающими последствиями. Hу и наличие в цепях баз фоpсиpующих емкостей пpиводит к тому, что закpытый тpанзистоp может откpыться досpочно.
Так что ухудшение частотных свойств тpанзистоpов может пpивести к их гибели.
Cheers, Aleksei [mailto: snipped-for-privacy@nm.ru]
В реальных китйских схемах всё наоборот: трансформатор насыщается существенно раньше (насыщенное состояние занимает 70-80% периода), так что большую часть времни транзисторы работают с закороченной базой, проводя ток за счёт рассасывания неосновных носителей.
Hello snipped-for-privacy@nm.ru! 01 Dec 04г., в 14:52, snipped-for-privacy@nm.ru => _Alexander Tsaplin_.
AT>> Какими транзисторами с запасом по параметрам, можно заменить ключевые AT>> транзисторы к сабжевых компактах ? Стояли SBP 13 / Y309. AT>> (в другом аналогичном стоят Si 13003) AT>> Работали явно на пределе, ушли в К.З. Защитные диоды целые. AT>> IRF720 можно заменить? p> Менять биполяры на полевые - это цепь управления переделывать надо. Упс, я почему то был в полной уверенности, что в сабже mosfet'ы... только сегодня руки дошли даташит скачать... После недолгих раздумий сабжи ушли в мусорку, не стоят эти поделия, что бы их ремонтировать... Всем спасибо.
_*─────────────────────────────────────────────────────*_ _Thank for attention. With the Best regards. Alexander._
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.